В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
НОВОСТИ
- 21:55 18.04.2025
- В урегулировании на Украине дело идет к развязке - Трамп
- 21:24 18.04.2025
- Сбер провел сессию «Поставки из Индии: фокус на новые возможности» на выставке «Нефтегаз 2025»
- 20:05 18.04.2025
- В Харьковской области ВСУ готовит на Пасху провокацию для ВС РФ - Ганчев
- 19:43 18.04.2025
- «Роснефть» представила «Маршруты Победы» в Башкирии
- 19:14 18.04.2025
- Сбер: Жилье остается драйвером роста экономики России
- 17:40 18.04.2025
- США предлагают ослабить санкции против РФ в рамках урегулирования на Украине — Bloomberg
- 17:12 18.04.2025
- Хуситы заявили об атаке на израильский военный объект в районе аэропорта Бен-Гурион
- 17:00 18.04.2025
- Украина получит от Японии около $3 млрд за счет доходов от активов РФ, утверждают в Киеве
- 16:32 18.04.2025
- В Трансарктическом коридоре портовые сборы могут вырасти в 10 раз — Чекунков
- 16:30 18.04.2025
- Калиматов: В Ингушетии заработал карьер по добыче доломитового камня
Комментировать
комментарии(0)
Комментировать